ElettroshockNow wrote on 01.09.15 at 15:01:39:
Perché gli EXB
?
Scherzo ogni driver è buono purché possa erogare una corrente sufficiente.
Diciamo che un 2A è troppo piccolino perché lo faresti lavorare al massimo delle sue prestazioni.
Già un 4A è sufficiente consentendo di ridurre la Rg.
Per il discorso tensione negativa.
Bé pilotare un igbt o mosfet migliora di molto ,ma nessuno ti vieta di usare una singola alimentazione (riferita al source),ma in quel caso dovrai necessariamente parallelare un diodo alla Rg.
Se vedi la Vgs è +-20V
Ps:il circuito postato da NE_XT pilota il Gate con tensione +-15V rispetto al Source
fod8333,
un mondo...
1) rileva la vce quando l'igbt dovrebbe essere in saturazione e se tale tensione supera i 6 volt lo spegne dolcemente;
2) la chiamano clamp ma significa che quando va in off (la vce sale) c'e' un bjt che trascina a massa il gate simulando una vge negativa;
3) c'e' un bjt open collector che trascina a massa il pin fault quando magari con un carico esagerato in collettore non riesce ad andare in saturazione e cioe' 1, 2 volt.
4) previsto un tempo morto iniziale di avvio di attesa;
5) se la v di alimentazione per i gate scende sotto i 12 volt, tutto va in fault.
Stanno lavorando da mesi in test e quando interviene il fault, non ho bruciato nemmeno un fusibile e tantomeno ho visto ESPLOSIONI di mosfet in parallelo, kekko docet.
piloto un trasfo da 3 kw con 8*12 volt e primario 75veff.
4oow per 10 ore carico misto induttivo e resistivo, l'aletta dell'igbt era salita di 10 gradi sulll'ambiente (30-->40)
attenzione alla rg troppo bassa, come alla semikron affermano, si i tempi di commutazione si abbassano e i rendimenti salgono, ma stimoliamo l'oscillatore che c'e' in ogni inverter pwm, secondo me 10 ohm bastano e avanzano, per le correnti di 50-80 ampere.
ora prendo fiato ciao
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