xardas wrote on 29.08.15 at 20:44:43:
Voi pensate che sia finito tutto eh??
Cosa ne pensate?
... spettacolo .
Hai preso dei bei gioielli e come tali andrebbero coccolati con dei buoni driver.
Tieni in considerazione che più riesci a ridurre i tempi di cambio di stato e minore sarà la perdita per commutazione.
Lo avrai già notato che per le perdite di conduzione saranno minime se li farai lavorare ad una tensione elevata,quindi te li sconsiglio per tensioni inferiori a 48V .
Come ridurre i tempi di cambio stato ?
Agendo sulla Rg .
Essa deve essere calcolata in maniera tale da consentire il prelievo della massima corrente del driver .
Quindi se il tuo driver potrà erogare 2A e vuoi pilotare il gate con 15V ti basterà usare una resistenza da 15/2 = 7.5 Ohm
Questo è valido per far passare il modulo in conduzione ... e in interdizione?
La miglior soluzione è usare un driver con tensione negativa ,altrimenti paralleli alla Rg un diodo fast in maniera tale che la capacità di gate venga scaricata nel minor tempo possibile .
Se disponi di un oscilloscopio connenniti in parallelo al gate e visualizza il cambio della forma in funzione della resistenza di gate
Di seguito il comportamento di più mosfet in parallelo ....
Il comportamento del tuo bel blocchetto di silicio è simile alla condizione d tutti i mosfet in parallello ..
Per dirti che hai bisogno di corrente
Un consiglio personale .
Prevedi da subito una protezione per extra assorbimenti
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