Ma allora quanto assorbono ? 

Nelle immagini precedenti ho simulato diverse configurazioni .
Quella più interessante ,ma svantaggiosa per il driver è con le Rg da 12 Ohm che consentono correnti di gate molto elevate oltrepassando i 3A ...(si può fare meglio)

Ora nella simulazione ho preso in considerazione tutta la corrente gestita dal driver .
Utile ai fini di calcolare la dissipazione termica ,ma non per conoscere l'assorbimento dello stesso per calcolare il giusto dimensionamento dello stadio di alimentazione.

Questo perché solo durante i fronti di salita dei gate la corrente verrà prelevata dall'alimentazione .
Nei fronti di discesa l'energia immagazzinata dai mosfet (capacità interna) verrà scaricata verso massa attraverso il driver.

Per consentire lo studio delle due correnti ci sono diverse soluzione di simulazione.

La più semplice è usare due diodi e aumentare la tensione di pilotaggio (nella simulazione) per contenere la caduta naturale degli stessi.
Ottenendo la stessa tensione di pilotaggio (in realta leggermente deformata ... )

Di seguito allego tale test.

Si può notare che solo 111mA (dati da simulazione ...in teoria dovrebbe essere circa la metà del test precedente) vengono assorbiti dal driver per pilotare "continuamente" 6 mosfet a 23Khz .

Si conclude che per un ponte H composto da 24 Mosfet IRFZ44N con Rg=12 Ohm e Tensione driver = 12V avremo bisogno di 444mA .... (è si lemax74 ha fatto benissimo a sovradimensionare lo stadio di alimentazione  grande)

Un saluto
Elettro

ciao ragazzi sono riuscito a recuperare alcuni mosfet (credo) da dei vecchi ampli per auto e volevo chiedervi se possono andar bene per gli inverter e quali valori di Rg e Rgs da utilizzare...

K778
B688
FMG32S
FMG32R
D718
B778
D998
75333P
SFP9Z34

poi vorrei sapere se posso testarli conn un tester..e se si come fare...grazie a tutti