Si e no... I passi della portante sono sempre di circa 64 uS (micro secondi) ovvero il periodo della 15 kHz (che poi in realtà è 15,6 kHz). Con i 210 o 628 passi vado a modificare il duty cycle della 15 kHz, in un tempo di 20 mS, ma la portante è sempre la stessa, ovvero l'oscillatore a 15 kHz resta sempre acceso.
Fatto questo con i 1024 o 512 passi vado a modificare l'ampiezza della sinusoide, lasciando invariati i passi di risoluzione della sinusoide. Quindi anche variando l'ampiezza della sinuosoide la risoluzione resta invariata... non mi sembra che il modulino cinese operi così, o sbaglio?

Una domanda: volendo ripristinare il vecchio inverter ad onda sinusoidale modificata, potrei sostituire nella sezione finale di potenza gli originari 8 mosfet IRFP450 (a due a due in parallelo) con 4 IGBT tipo HGTG40N60B3? Occorre anche modificare le resistenze  di gate, che adesso sono da 10 Ohm?
Grazie.
PS: non ho certo rinunciato al progetto "Homemade Inverter" (sono cocciuto e testardo!); è solo che ho necessità di far andare l'inverter per alcuni giorni e vorrei non ricomprare gli IRFP450 ma adoperare quello che ho!

X Scinty

Ecco la foto della sezione in cui erano alloggiati gli 8 IRFP450

CITAZIONE (ElettroshockNow, 17/06/2014 00:45:54 ) Quote:


X Elettro
Ho rimosso i transistor e ponticellato singolarmente i collettori con gli emettitori sia sulla scheda rossa che sulla verde, ma sull'uscita degli IR2110 ho misurato (con una tensione di gate di 12,8V):
sulla EGS002 rossa:
pin10---> 12,2V
pin8----> 6,1V
pin6---->12,1V
pin3----> 12,1V

sulla EGS002 verde:
pin10---> 11,9V
pin8----> 6,1V
pin6---->12,0V
pin3----> 0V

Devo dedurne che entrambe le schede hanno il chip EG8010 guasto?

Ciao a tutto il forum.
Ho trovato questo forum qualche mese fa, dopo aver guardato per informazioni sulla rete del modulo del driver. I vostri molto impressionanti.
Prima di tutto, il mio più sincero Electro, Scinty, Kekko, e complimenti a tutti i membri per tutto il lavoro già fatto.
Sto lavorando su EGS002, 20 pezzi resistenze IRF3205 (10k, 4.7 k) diodo 4148 e trasformatori (24V - 220V). Nella mia esperienza posso ottenere carichi da 500W a oltre 1500W 24v.
Il mio problema è il seguente:
Il dissipatore di calore che porta i mofets MOS_RH-2 (4148 + R10K) scalda rapidamente rispetto alle altre lavelli. Il dissipatore di calore (MOS_RH-2) Non riesco superato 1500W. EGS002 colpisce la tensione di uscita dovuta all'aumento di temperatura nonostante la presenza del ventilatore.
Penso che questo non è normale, e se mi capita di avere una temperatura uniforme per tutti i dissipatori aspetto 3000W 24V o più.
Grazie per avermi aiutato a risolvere il problema del dissipatore di calore (MOS_RH-2).

Ex angustie
  Ho sbagliato io uso la resistenza di 4,7 ohm e non 4.7K.

Ecco un editing delle immagini.

CITAZIONE (bobsako, 17/06/2014 14:14:24 ) Quote:


L'aumento della resistenza è per salvaguardare il driver IR2110 che non può erogare più di 2A.

Ma solo i 5 mosfet connessi a MOS_RH-2 riscaldano e non il mezzo ponte RH ? :